Resumen

Título: Desarrollo en México de patrones de resistencia eléctrica basados en el Efecto Hall Cuántico.
Resumen: Se presentan los avances en el desarrollo de muestras semiconductoras para obtener patrones de resistencia eléctrica basados en el Efecto Hall Cuántico (EHC) en México. Dispositivos de AlGaAs/GaAs fueron fabricados por Epitaxia de Haces Moleculares con la estructura apropiada para observar el EHC. Se reportan los resultados de las caracterizaciones eléctricas y ópticas comparados con los de un estándar de EHC. Se emplearon las técnicas de Fotorreflectancia y Fotoluminiscencia como herramientas para evaluar la calidad de los dispositivos, también se demuestra una relación entre las mediciones eléctricas y los resultados de la caracterización óptica al evaluar la confiabilidad de los dispositivos.
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